IEC 62047-21 Semiconductor devices – Micro-electromechanical devices – Part 21: Test method for Poisson's ratio of thin film MEMS materials - Edition 1.0
Список продуктов
Данный раздел/документ содержится в продуктах:
Данный раздел/документ содержится в продуктах:
- Техэксперт: Машиностроительный комплекс
- Картотека зарубежных и международных стандартов
- CENELEC EN 62047-8 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 8: Strip bending test method for tensile property measurement of thin films
- 31
- CENELEC EN 62047-8 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 8: Strip bending test method for tensile property measurement of thin films
- 31.080
- CENELEC EN 62047-8 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 8: Strip bending test method for tensile property measurement of thin films
- 31.080.99
- CENELEC EN 62047-21 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 21: Test method for Poisson's ratio of thin film MEMS materials
- CENELEC EN 62047-21 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 21: Test method for Poisson's ratio of thin film MEMS materials
- CENELEC EN 62047-21 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 21: Test method for Poisson's ratio of thin film MEMS materials
- ASTM E132 Standard Test Method for Poisson’s Ratio at Room Temperature
- Картотека зарубежных и международных стандартов
На него ссылаются
- В списке элементов: 3
- BSI BS EN 62047-16 Semiconductor devices — Micro-electromechanical devices Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films — Wafer curvature and cantilever beam deflection methodsПолупроводниковые устройства — Микроэлектромеханическая Часть 16 устройств: Методы тестирования для определения остаточного напряжения фильмов MEMS — Слоистое искривление и консоль излучают методы отклонения
Карточка документа - CENELEC EN 62047-16 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methodsПолупроводниковые устройства - Микроэлектромеханические устройства - Часть 16: Методы тестирования для определения остаточного напряжения фильмов MEMS - Слоистое искривление и консоль излучают методы отклонения
Карточка документа - IEC 62047-16 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods - Edition 1.0Полупроводниковые устройства - Микроэлектромеханические устройства - Часть 16: Методы тестирования для определения остаточного напряжения фильмов MEMS - Слоистое искривление и консоль излучают методы отклонения - Выпуск 1.0
Карточка документа
