International Electrotechnical Commission

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods - Edition 1.0
 N 62047-16

Annotation

This part of IEC 62047 specifies the test methods to measure the residual stresses of films with thickness in the range of 0,01 m to 10 m in MEMS structures fabricated by wafer curvature or cantilever beam deflection methods. The films should be deposited onto a substrate of known mechanical properties of Young's modulus and Poisson's ratio. These methods are used to determine the residual stresses within thin films deposited on substrate [1]1.

1 Numbers in square brackets refer to the Bibliography.

Автоматический перевод:

Полупроводниковые устройства - Микроэлектромеханические устройства - Часть 16: Методы тестирования для определения остаточного напряжения фильмов MEMS - Слоистое искривление и консоль излучают методы отклонения - Выпуск 1.0

Эта часть IEC 62047 определяет методы тестирования измерить остаточное напряжение фильмов с толщиной в диапазоне 0,01 m к 10 m в структурах MEMS, произведенных слоистым искривлением или консольными методами отклонения луча. Фильмы должны быть депонированы на подложку известных механических свойств модуля Янга и отношения Пуассона. Эти методы используются для определения остаточного напряжения в тонких пленках, депонированных на подложке [1] 1.