ASTM F1892 Standard Guide for Ionizing Radiation (Total Dose) Effects Testing of Semiconductor Devices
Список продуктов
Данный раздел/документ содержится в продуктах:
Данный раздел/документ содержится в продуктах:
- Техэксперт: Машиностроительный комплекс
- Картотека зарубежных и международных стандартов
- ASTM D1039 Standard Test Methods for Glass-Bonded Mica Used as Electrical Insulation
- 29
- ASTM D1039 Standard Test Methods for Glass-Bonded Mica Used as Electrical Insulation
- 29.035
- ASTM D1039 Standard Test Methods for Glass-Bonded Mica Used as Electrical Insulation
- 29.035.50
- ASTM F140 Standard Practice for Making Reference Glass-Metal Butt Seals and Testing for Expansion Characteristics by Polarimetric Methods
- ASTM F79 Standard Specification for Type 101 Sealing Glass
- ASTM D257 Standard Test Methods for DC Resistance or Conductance of Insulating Materials
- ASTM F79 Standard Specification for Type 101 Sealing Glass
- ASTM F79 Standard Specification for Type 101 Sealing Glass
- ASTM D257 Standard Test Methods for DC Resistance or Conductance of Insulating Materials
- ASTM D116 Standard Test Methods for Vitrified Ceramic Materials for Electrical Applications
- ASTM D2149 Standard Test Method for Permittivity (Dielectric Constant) And Dissipation Factor Of Solid Dielectrics At Frequencies To 10 MHz And Temperatures To 500°C
- ASTM D2442 Standard Specification for Alumina Ceramics for Electrical and Electronic Applications
- DLA MIL-STD-883K CHANGE 1 TEST METHOD STANDARD MICROCIRCUITS
- ISO/ASTM 51275 Standard Practice for Use of a Radiochromic Film Dosimetry System
- Картотека зарубежных и международных стандартов
Ссылается на
- В списке элементов: 8
- ASTM E170 Standard Terminology Relating to Radiation Measurements and DosimetryСтандартная терминология, касающаяся измерений излучения и дозиметрии
Карточка документа - ASTM E1249 Standard Practice for Minimizing Dosimetry Errors in Radiation Hardness Testing of Silicon Electronic Devices Using Co-60 SourcesОбщепринятая практика для уменьшения дозиметрических ошибок в радиационном испытании на твердость источников Silicon Electronic Devices Using Co-60
Карточка документа - ASTM E1250 Standard Test Method for Application of Ionization Chambers to Assess the Low Energy Gamma Component of Cobalt-60 Irradiators Used in Radiation-Hardness Testing of Silicon Electronic DevicesСтандартный метод тестирования для применения ионизационных камер для оценки низкого энергетического гамма компонента кобальта 60 излучателей, используемых на Лучевом Испытании на твердость кремниевых электронных приборов
Карточка документа - ASTM E666 Standard Practice for Calculating Absorbed Dose From Gamma or X RadiationОбщепринятая практика для вычисления поглощенной дозы от гаммы или X радиации
Карточка документа - ISO ISO/ASTM 51275 Practice for use of a radiochromic film dosimetry system - Third EditionПрактика для использования radiochromic пленочной дозиметрической системы - Третий Выпуск
Карточка документа - ASTM E668 Standard Practice for Application of Thermoluminescence-Dosimetry (TLD) Systems for Determining Absorbed Dose in Radiation-Hardness Testing of Electronic DevicesУтвержденный технологический процесс для приложения дозиметрии термолюминесценции (TLD) системы для определения поглощенной дозы на Лучевом Испытании на твердость электронных приборов
Карточка документа - ASTM F1467 Standard Guide for Use of an X-Ray Tester (? 10 keV Photons) in Ionizing Radiation Effects Testing of Semiconductor Devices and MicrocircuitsСтандартное Руководство для Использования Тестера Рентгеновского луча (? Фотоны на 10 кэВ) в Тестировании Эффектов Атомной радиации Полупроводниковых Устройств и Микросхем
Карточка документа - ASTM F996 Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current–Voltage CharacteristicsСтандартный метод тестирования для разделения ионизирующегося вызванного излучением сдвига порогового напряжения MOSFET в компонентный сбор к окисным захваченным дыркам и интерфейсным состояниям Используя подпороговые вольтамперные характеристики
Карточка документа
