Comitato Elettrotecnico Italiano

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS
 N EN 62047-9

Annotation

This standard describes bonding strength measurement method of wafer to wafer bonding, type of bonding process such as silicon to silicon fusion bonding, silicon to glass anodic bonding, etc., and applicable structure size during MEMS processing/assembly. The applicable wafer thickness is in the range of 10 m to several millimeters.

Автоматический перевод:

Полупроводниковые устройства - Микроэлектромеханическая Часть 9 устройств: Пластина к слоистому измерению прочности сцепления для MEMS

Этот стандарт описывает метод измерения прочности сцепления пластины к слоистому связыванию, типу термокомпрессии, такой как кремний к кремниевому связыванию сплава, кремний к стеклянному анодному связыванию, и т.д., и применимый размер структуры во время обработки/блока MEMS. Применимая слоистая толщина находится в диапазоне 10 m к нескольким миллиметрам.

Эквиваленты данного стандарта:

• CENELEC EN 62047-9 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS
• IEC 62047-9 CORR 1 Semiconductor devices – Micro-electromechanical devices – Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS - Edition 1.0
• BSI BS EN 62047-9 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS - CORR: January 31, 2013