ASTM F2113 Standard Guide for Analysis and Reporting the Impurity Content and Grade of High Purity Metallic Sputtering Targets for Electronic Thin Film Applications
Данный раздел/документ содержится в продуктах:
- Техэксперт: Машиностроительный комплекс
- Картотека зарубежных и международных стандартов
- ASTM F3166 Standard Specification for High-Purity Titanium Sputtering Target Used for Through- Silicon Vias (TSV) Metallization
- ASTM F1512 Standard Practice for Ultrasonic C-Scan Bond Evaluation of Sputtering Target-Backing Plate Assemblies
- ASTM E1736 Standard Practice for Acousto-Ultrasonic Assessment of Filament-Wound Pressure Vessels
- ASTM E1001 Standard Practice for Detection and Evaluation of Discontinuities by the Immersed Pulse-Echo Ultrasonic Method Using Longitudinal Waves
- ASTM F3192 Standard Specification for High-Purity Copper Sputtering Target Used for Through- Silicon Vias (TSV) Mettalization
- 29
- Картотека зарубежных и международных стандартов
ASTM International
Standard Guide for Analysis and Reporting the Impurity Content and Grade of High Purity Metallic Sputtering Targets for Electronic Thin Film Applications
N F2113
Annotation
This guide covers sputtering targets used as thin film source material in fabricating semiconductor electronic devices. It should be used to develop target specifications for specific materials and should be referenced therein.
This standard sets purity grade levels, analytical methods and impurity content reporting method and format.
The grade designation is a measure of total metallic impurity content. The grade designation does not necessarily indicate suitability for a particular application because factors other than total metallic impurity may influence performance.
Автоматический перевод:
Типичный гид для анализа и создания отчетов о содержании примеси и сорте высокой чистоты металлические бормочущие цели электронных приложений тонкой пленки
Это руководство покрытия, распыляющие цели, используемые в качестве тонкопленочного исходного материала в производстве полупроводниковых электронных устройств. Это должно использоваться для разрабатывания целевых спецификаций для определенных материалов и должно быть сослано там.
