Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
Список продуктов
Данный раздел/документ содержится в продуктах:
Данный раздел/документ содержится в продуктах:
- Техэксперт: Нормы, правила, стандарты и законодательство России
- Техэксперт: Нефтегазовый комплекс
- Техэксперт: Машиностроительный комплекс
- Техэксперт: Электроэнергетика
- Техэксперт: Теплоэнергетика
- Стройэксперт. "Вариант Лидер"
- Техэксперт: Эксплуатация зданий
- Стройтехнолог
ВРЕМЯ НАРАСТАНИЯ ИМПУЛЬСА ЗАРЯДА ИЛИ НАПРЯЖЕНИЯ ВЫХОДНОГО СИГНАЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТОРА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД
D. Anstiegzeit eines Halbleiterdetektors
E. Semiconductor detector electrical rise time
F. Tempo de montee electrique d'un detecteur semi-conducteur
Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения изменяется от 10 до 90% от его максимального значения



