DANSK - Dansk Standard

Photovoltaic (PV) modules - Test methods for the detection of potential-induced degradation - Part 1: Crystalline silicon
 N DS DS/IEC TS 62804-1

Annotation

IEC TS 62804-1:2015(E) defines procedures to test and evaluate the durability of crystalline silicon photovoltaic (PV) modules to the effects of short-term high-voltage stress including potential-induced degradation (PID). Two test methods are defined that do not inherently produce equivalent results. They are given as screening tests; neither test includes all the factors existing in the natural environment that can affect the PID rate. The methods describe how to achieve a constant stress level. The testing in this Technical Specification is designed for crystalline silicon PV modules with one or two glass surfaces, silicon cells having passivating dielectric layers, for degradation mechanisms involving mobile ions influencing the electric field over the silicon semiconductor, or electronically interacting with the silicon semiconductor itself.

Автоматический перевод:

Фотоэлектрический (PV) модули - Методы испытаний для обнаружения вызванного потенциалом ухудшения - Часть 1: Кристаллический силикон

IEC TS, 62804-1:2015 (E), определяет процедуры, чтобы проверить и оценить длительность кристаллического силикона, фотоэлектрического (PV) модули к результатам краткосрочного высоковольтного напряжения включая вызванное потенциалом ухудшение (PID). Два метода испытаний определяются, которые неотъемлемо не приводят к эквивалентным результатам. Им дают как скрининг-тесты; никакое испытание не включает все факторы, существующие в природную среду, которая может влиять на уровень PID. Методы описывают, как достигнуть постоянного уровня напряжения. Испытание в этой Технической характеристике разработано для кристаллического силикона модули PV с одной или двумя стеклянными поверхностями, кремниевое наличие клеток, пассивирующее диэлектрические уровни, для механизмов ухудшения, включающих мобильные ионы, влияющие на электрическое поле по кремниевому полупроводнику, или электронно взаимодействующие с самим кремниевым полупроводником.