ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ

Plasma etching

Сухое травление компонентами плазмы - ионами и электронами, образованными в результате электрического разряда в газовой среде.

Примечания

1 К понятию "оборудование для плазменного травления" относят реактор с плазмой и двумя емкостными электродами, в который помещают материал, подлежащий травлению.

2 В процессе плазменного травления участвуют радикалы, электроны и ионы. Радикалы вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами обрабатываемого материала и удаляют поверхностные слои в результате образования летучих продуктов реакции. Электроны и ионы активируют эту реакцию, увеличивая скорость травления.