КРИОГЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ

Cryogenic etching

Процесс управляемого удаления поверхностного слоя - материала с подложки путем ее охлаждения до температуры 163 К или ниже, при которой возможно формирование почти вертикальных элементов структуры объекта.

Примечание - Температура 163 К или ниже замедляет скорость химических реакций в процессе травления. Бомбардирующие поверхность материала ионы, выбивая частицы с заданных участков, формируют вертикальные элементы структуры объекта.

"ГОСТ ISO/TS 80004-8-2016 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения" от 09.11.2016 г.

КРИОГЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ

Cryogenic etching