International Organization for Standardization

Surface chemical analysis — X-ray photoelectron spectroscopy — Measurement of silicon oxide thickness - First Edition
 N 14701

Annotation

This International Standard specifies several methods for measuring the oxide thickness at the surfaces of (100) and (111) silicon wafers as an equivalent thickness of silicon dioxide when measured using X-ray photoelectron spectroscopy. It is only applicable to flat, polished specimens and for instruments that incorporate an Al or Mg X-ray source, a specimen stage that permits defined photoelectron emission angles and a spectrometer with an input lens that can be restricted to less than a 6° cone semi-angle. For thermal oxides in the range 1 nm to 8 nm thickness, using the best method described in this International Standard, uncertainties, at a 95 % confidence level, could typically be around 2 % and around 1 % at optimum. A simpler method is also given with slightly poorer, but often adequate, uncertainties.

Автоматический перевод:

Поверхностный химический анализ — делает рентген фотоэлектронной спектроскопии — Измерения толщины оксида кремния - Первый Выпуск

Этот Международный стандарт определяет несколько методов для измерения толщины оксида в поверхностях (100) и (111) кремниевые пластины как эквивалентная толщина диоксида кремния, когда измерено с помощью спектроскопии фотоэлектрона рентгена. Это только применимо к плоским, полированным экземплярам и для инструментов, включающих источник Эла или Мг Кс-рэя, этап экземпляра, разрешающий определенные фотоэлектронные углы эмиссии и спектрометр с входной линзой, которая может быть ограничена меньше чем полууглом конуса на 6 °. Для тепловых оксидов в диапазоне от 1 нм до толщины на 8 нм, с помощью лучшего метода, описанного в этом Международном стандарте, неуверенность, на 95%-м уровне доверия, могла, как правило, составлять приблизительно 2% и приблизительно 1% в оптимуме. Более простой метод также дан с немного более бедным, но часто соответствующий, неуверенность.