International Organization for Standardization

Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials - First Edition
 N 23812

Annotation

This International Standard specifies a procedure for calibrating the depth scale in a shallow region, less than 50 nm deep, in SIMS depth profiling of silicon, using multiple delta-layer reference materials.

This International Standard is not applicable to the surface-transient region where the sputtering rate is not in the steady state.

This International Standard is applicable to single-crystalline silicon, polycrystalline silicon and amorphous silicon.

Автоматический перевод:

Поверхностный химический анализ — масс-спектрометрия Вторичного иона — Метод для калибровки глубины для кремния с помощью многократных справочных материалов слоя дельты - Первый Выпуск

Этот Международный стандарт определяет процедуру для калибровки масштаба глубины в мелком регионе, меньше чем 50 нм глубиной, в профилировании глубины SIMS кремния, с помощью многократных справочных материалов слоя дельты.