DS DS/EN 62047-16 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods
Данный раздел/документ содержится в продуктах:
DANSK - Dansk Standard
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods
N DS/EN 62047-16
Annotation
IEC 62047-16:2015 specifies the test methods to measure the residual stresses of films with thickness in the range of 0,01 ?mu; to 10 ?mu; in MEMS structures fabricated by wafer curvature or cantilever beam deflection methods.
Автоматический перевод:
Полупроводниковые устройства - Микроэлектромеханические устройства - Часть 16: Методы тестирования для определения остаточного напряжения фильмов MEMS - Слоистое искривление и консоль излучают методы отклонения
62047-16:2015 IEC определяет методы тестирования измерить остаточное напряжение фильмов с толщиной в диапазоне 0,01 ?mu; к 10 ?mu; в структурах MEMS, произведенных слоистым искривлением или консолью, излучают методы отклонения.
Эквиваленты данного стандарта:
- CENELEC EN 62047-16 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods
- IEC 62047-16 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods - Edition 1.0
- BSI BS EN 62047-16 Semiconductor devices — Micro-electromechanical devices Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films — Wafer curvature and cantilever beam deflection methods
