International Electrotechnical Commission

Semiconductor devices – Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) - Edition 1.0
 N 62417

Annotation

This present standard provides a wafer level test procedure to determine the amount of positive mobile charge in oxide layers in metal-oxide semiconductor field effect transistors. . It is applicable to both active and parasitic field effect transistors. The mobile charge can cause degradation of microelectronic devices, e.g. by shifting the threshold voltage of MOSFETs or by inversion of the base in bipolar transistors.

Автоматический перевод:

Полупроводниковые устройства – Мобильный ион тестирует на полевые транзисторы металлооксидного полупроводника (MOSFETs) - Выпуск 1.0

Этот настоящий стандарт предоставляет слоистую процедуру проведения испытаний уровня для определения суммы положительного подвижного заряда в оксидных слоях в полевых транзисторах металлооксидного полупроводника.. Это применимо и к активным и к паразитным полевым транзисторам. Подвижный заряд может вызвать ухудшение микроэлектронных устройств, например, путем смещения порогового напряжения MOSFETs или инверсией основы в биполярных транзисторах.