Deutsches Institut fur Normung e. V.

Testing of materials for semiconductor technology - Surface analysis of silicon wafers by multielement determination in aqueous analysis solutions using mass spectrometry with inductively coupled plasma (ICP-MS)
 N 51456

Автоматический перевод:

Тестирование материалов для полупроводниковой технологии - Поверхностный анализ кремниевых пластин многоэлементным определением в водных аналитических решениях с помощью масс-спектрометрии с индуктивно двойной плазмой (ICP-MS)

Этот документ устанавливает процесс к определению массовых участий элементов Al (алюминий), ас (ударные слоги), Ba (барий), (бериллий), Около (кальций), Cd (Cadmium), Co (кобальт), Cr (хром), Cu (медь), Fe (железо), В (индии), K (калий), Li (литий), мг (магний), Mn (марганец), пон. (молибден), ну (натрий), Ni (никель), Pb (свинец), Sb (сурьма), Sr (стронций), Ti (титан), вольт (ванадий), Zn (цинк) и Zr (Zirconium) в области дорожек на поверхности Siliciumscheiben, причем как процесс определения массовую спектрометрию с индуктивно соединенной плазмой (МИСС ICP) применяется.

Процесс считается для чистых участий меры элемента 10 ng/кг до 10 000 ng/кг в Scanl sung.

Эта норма считается только для Siliciumscheiben, которые обнаруживают разлагаемый втористым водородом слой на ее поверхности.