Общие сведения

• 1. Основные положения

• 2. Подготовка к симметрированию

• 3. Мероприятия при прокладке и монтаже кабеля

• 4. Подготовка к симметрированию действующих кабелей при реконструкции магистралей

• 5. Симметрирование на ближнем конце

  • Рис.5.1. Составленный контур противосвязи

  • Рис.5.2. Сросток муфты с контурами противосвязей

  • Рис.5.3. Разделение большой противосвязи на две равные

• 6. Симметрирование на дальнем конце

  • Рис.7.1. Сросток симметрирующей муфты кабеля 4х4

• 7. Монтаж симметрирующей муфты

  • Рис.7.2. Схема симметрирующей муфты

ПРИЛОЖЕНИЕ II. Теоретические положения концентрированного симметрирования вч кабелей связи

• Рис.II.1. Частотный годограф комплексных связей на дальнем конце

• Рис.ІІ.2. Условие симметрируемости

• Рис.II.3. Действующая противосвязь

• Рис.II.4. Двухполюсник RC

• Рис.II.5. Зависимость проводимости двухполюсника RC от R, C и "омега"

• Рис.II.6. Графики для определения емкости конденсатора и величины сопротивления противосвязи |y|=10 мксим в зависимости от угла "пси" на частоте: а) f=260 кГц; б) f=560 кГц

• Рис.II.7. Частотные годографы проводимости двухполюсника RC в зависимости от угла "пси" на верхних частотах

• Рис.II.8. Отсутствие условия симметрируемости при применении частотнонезависимой противосвязи

• Рис.II.9. Зависимость измеренной на дальнем конце противосвязи от постоянных распространения цепей кабеля и места включения противосвязи

• Рис.II.10. Эффект перестановки измеренной противосвязи

• Рис.II.11. Годограф измеренной противосвязи

• Рис.II.12. Зависимость измеренной на ближнем конце противосвязи от постоянных распространения цепей кабеля и места включения противосвязи

• Рис.II.13. Годограф измеренной на ближнем конце противосвязи, состоящий из конденсатара, включенного на расстоянии l(x)=0,63 км (кабель МКСБ 4x4x1,2)

• Рис.II.14. Симметрирование на ближнем конце. Определение угла "фи", проводимости противосвязи в точке включения на верхней частоте (110 кГц)

• Рис.II.15. Симметрирование на ближнем конце

• Рис.II.16. Симметрирование в двух точках при симметричном расположении годографов комплексных связей относительно мнимой оси и начала координат

• Рис.II.17. Симметрирование в двух точках при несимметричном расположении годографов относительно мнимой оси и начала координат

• Рис.II.18. Уменьшение эффекта перестановки у комплексных связей при концентрированном симметрировании включением дополнительной нагрузки в цепь, подверженную влиянию

• Рис.II.19. Принципиальная схема переменного контура RC

• Рис.II.20. Последовательность измерения элементов R и C переменного контура при подборе противосвязи

ПРИЛОЖЕНИЕ III. Упрощенная методика измерения комплексных связей

• Рис.III.1. Планшет для измерения комплексных связей

• Рис.III.2. Смещение векторов комплексных связей при измерении прибором ИХКС-1

• Рис.III.3. Принципиальная схема прибора ИХКС-1