Ссылается на

• В списке элементов: 68
• ГОСТ Р ИСО 2859-1-2007 Статистические методы. Процедуры выборочного контроля по альтернативному признаку. Часть 1. Планы выборочного контроля последовательных партий на основе приемлемого уровня качества
  Идентичен (IDT) ISO 2859-1:1999Применяется с 01.06.2007 взамен ГОСТ Р 50779.71-99 
• ГОСТ 30668-2000 Изделия электронной техники. Маркировка (с Поправкой)
   
• ГОСТ 14192-96 Маркировка грузов (с Изменениями N 1, 2, 3)
   
• ГОСТ 18472-88 (СТ СЭВ 1818-86) Приборы полупроводниковые. Основные размеры (с Изменениями N 1, 2)
   
• ГОСТ 18604.11-88 (СТ СЭВ 3996-83) Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах
  Идентичен (IDT) СТ СЭВ 3996:1983; IEC 147-2Применяется с 01.01.1990 взамен ГОСТ 18604.11-76 
• ГОСТ 8.002-86 Государственная система обеспечения единства измерений (ГСИ). Государственный надзор и ведомственный контроль за средствами измерений. Основные положения
   
• ГОСТ 19138.5-85 Тиристоры триодные. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки (с Изменением N 1)
  Применяется с 01.01.1987 
• ГОСТ 19138.3-85 Тиристоры триодные. Метод измерения времени выключения (с Изменением N 1)
  Применяется с 01.01.1987 
• ГОСТ 19138.0-85 (СТ СЭВ 1622-79) Тиристоры. Общие требования к методам измерения параметров (с Изменением N 1)
  Неэквивалентен (NEQ) СТ СЭВ 1622:1979Применяется с 01.01.1987 
• ГОСТ 25024.4-85 Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения яркости, силы света, неравномерности яркости и неравномерности силы света
  Применяется с 01.07.1986 взамен ГОСТ 19834.1-74, ГОСТ 23596.1-79, ГОСТ 23596.2-79 
• ГОСТ 18986.14-85 Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений
  Неэквивалентен (NEQ) СТ СЭВ 2769:1980Применяется с 01.07.1986 взамен ГОСТ 18986.14-75, ГОСТ 19656.8-74 
• ГОСТ 20398.0-83 (СТ СЭВ 1622-79) Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров
  Применяется с 01.07.1984 взамен ГОСТ 20398.0-74 
• ГОСТ 18604.0-83 (СТ СЭВ 1622-79) Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров (с Поправкой)
  (утв. постановлением Госстандарта СССР от 24.08.1983 N 3949)Идентичен (IDT) СТ СЭВ 1622:1979Применяется с 01.07.1984 взамен ГОСТ 18604.0-74 
• ГОСТ 18986.24-83 Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения
  Применяется с 01.07.1984 
• ГОСТ 24613.9-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения временных параметров
  Применяется с 01.07.1984 
• ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции
  Применяется с 01.07.1984 
• ГОСТ 18604.9-82 Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока (с Изменением N 1)
  (утв. постановлением Госстандарта СССР от 24.11.1982 N 4441)Применяется с 01.01.1984 взамен ГОСТ 18604.25-81, ГОСТ 18604.9-75, ГОСТ 18604.12-77 
• ГОСТ 25467-82 Изделия электронной техники. Классификация по условиям применения и требования по стойкости к внешним воздействующим факторам
  Применяется с 01.01.1984 
• ГОСТ 25359-82 (СТ СЭВ 2746-80) Изделия электронной техники. Общие требования по надежности и методы испытаний (с Изменением N 1)
  Применяется с 01.01.1983 
• ГОСТ 25360-82 Изделия электронной техники. Правила приемки
  Применяется с 01.01.1983 
• ГОСТ 18604.24-81 Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора (с Изменением N 1)
  Применяется с 01.07.1982 
• ГОСТ 24613.6-81 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения напряжения изоляции (с Изменением N 1)
  Применяется с 01.07.1982 
• ГОСТ 24613.3-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения входного напряжения
  Применяется с 01.07.1982 
• ГОСТ 24613.1-81 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения проходной емкости (с Изменением N 1)
  Применяется с 01.07.1982 
• ГОСТ 24613.0-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Общие положения при измерении электрических параметров (с Изменениями N 1, 2)
  Применяется с 01.01.1982 
• ГОСТ 20398.13-80 (СТ СЭВ 3413-81) Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток (с Изменением N 1)
  Применяется с 01.01.1982 
• ГОСТ 20398.9-80 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме
  Применяется с 01.01.1982 
• ГОСТ 18986.23-80 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума (с Изменением N 1)
  (утв. постановлением Госстандарта СССР от 12.12.1980 N 5804)Применяется с 01.01.1982 
• ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения (с Изменениями N 1, 2)
  Применяется с 01.01.1982 
• ГОСТ 20.57.406-81 Комплексная система контроля качества. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические. Методы испытаний (с Изменениями N 1-10)
  Применяется с 01.01.1982 
• ГОСТ 24354-80 Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры (с Изменением N 1)
  Применяется с 01.01.1982 
• ГОСТ 18604.3-80 (СТ СЭВ 3999-83) Транзисторы биполярные. Методы измерения емкости коллекторного и эмиттерного переходов (с Изменениями N 1, 2)
  (утв. постановлением Госстандарта СССР от 04.07.1980 N 3392)Применяется с 01.01.1982 взамен ГОСТ 18604.3-73 
• ГОСТ 18604.1-80 (СТ СЭВ 3993-83) Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте (с Изменением N 1)
  (утв. постановлением Госстандарта СССР от 04.07.1980 N 3392)Идентичен (IDT) СТ СЭВ 3993:1983Применяется с 01.01.1982 взамен ГОСТ 18604.1-73 
• ГОСТ 23088-80 Изделия электронной техники. Требования к упаковке, транспортированию и методы испытаний (с Изменениями N 1, 2, 3, 4, с Поправкой)
  Применяется с 01.07.1981 
• ГОСТ 18604.23-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих
  Применяется с 01.01.1982 
• ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения (с Изменениями N 1, 2)
  Применяется с 01.07.1981 
• ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры (с Изменениями N 1, 2, 3, 4, 5)
  Применяется с 01.01.1981 
• ГОСТ 18986.22-78 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления (с Изменением N 1)
  (утв. постановлением Госстандарта СССР от 18.07.1978 N 1939)Применяется с 01.01.1980 взамен ГОСТ 15603-70 
• ГОСТ 18986.21-78 Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации
  (утв. постановлением Госстандарта СССР от 18.07.1978 N 1939)Применяется с 01.01.1980 
• ГОСТ 18604.22-78 (СТ СЭВ 4289-83) Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер (с Изменением N 1)
  Идентичен (IDT) СТ СЭВ 4289:1983Применяется с 01.01.1980 взамен ГОСТ 13852-68 
• ГОСТ 18604.16-78 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
  Применяется с 01.07.1979 взамен ГОСТ 10869-68 
• ГОСТ 24613.18-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции (с Изменениями N 1, 2)
  Применяется с 01.01.1979 
• ГОСТ 18986.20-77 Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения выхода на режим (с Изменением N 1, с Поправкой)
  Применяется с 01.01.1979 
• ГОСТ 24613.19-77 (СТ СЭВ 3790-82) Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения коэффициента передачи по току (с Изменениями N 1, 2)
  Применяется с 01.07.1978 
• ГОСТ 18604.15-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока (с Изменением N 1)
  Применяется с 01.07.1978 
• ГОСТ 18604.13-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения выходной мощности и определение коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора (с Изменением N 1)
  Применяется с 01.07.1978 
• ГОСТ 18604.10-76 Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления (с Изменениями N 1, 2)
  (утв. постановлением Госстандарта СССР от 02.06.1976 N 1363)Применяется с 01.01.1978 взамен ГОСТ 10868-68 
• ГОСТ 19834.3-76 (СТ СЭВ 3788-82) Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения (с Изменениями N 1, 2)
  Применяется с 01.07.1977 
• ГОСТ 21493-76 Изделия электронной техники. Требования по сохраняемости и методы испытаний
  Применяется с 01.01.1977 
• ГОСТ 18986.15-75 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации (с Изменением N 1)
  (утв. постановлением Госстандарта СССР от 28.07.1975 N 1949)Неэквивалентен (NEQ) СТ СЭВ 3200:1981; IEC 147-2MПрименяется с 01.01.1977 взамен ГОСТ 14093-68 
• ГОСТ 19834.0-75 (СТ СЭВ 3788-82) Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров (с Изменениями N 1, 2)
  Применяется с 01.07.1976 
• ГОСТ 20398.8-74 (СТ СЭВ 3413-81) Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока (с Изменением N 1)
  Применяется с 01.07.1976 
• ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи
  Применяется с 01.07.1976 
• ГОСТ 18986.13-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора
  Применяется с 01.07.1976 
• ГОСТ 18986.10-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности (с Изменениями N 1, 2)
  Применяется с 01.07.1976 
• ГОСТ 18986.0-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения (с Изменениями N 1, 2)
  Неэквивалентен (NEQ) СТ СЭВ 1622:1979Применяется с 01.01.1976 
• ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости (с Изменениями N 1, 2)
  Применяется с 01.01.1976 
• ГОСТ 18604.8-74 Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости
  (утв. постановлением Госстандарта СССР от 14.06.1974 N 1478)Применяется с 01.01.1976 взамен ГОСТ 10871-68 
• ГОСТ 18604.4-74 (СТ СЭВ 3998-83) Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора (с Изменениями N 1, 2)
  (утв. постановлением Госстандарта СССР от 29.01.1985 N 184)Неэквивалентен (NEQ) СТ СЭВ 3998:1983Применяется с 01.01.1976 взамен ГОСТ 10864-68 
• ГОСТ 19138.7-74 Тиристоры. Метод измерения импульсного запирающего тока управления, импульсного запирающего напряжения управления, импульсного коэффициента запирания (с Изменениями N 1, 2)
  Применяется с 01.07.1975 
• ГОСТ 19138.4-73 Тиристоры. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки (с Изменениями N 1, 2)
  Применяется с 01.07.1975 
• ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления (с Изменениями N 1, 2, 3)
  Неэквивалентен (NEQ) СТ СЭВ 3198:1981Применяется с 01.01.1975 взамен ГОСТ 10965-64 
• ГОСТ 18986.3-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока (с Изменениями N 1, 2)
  Идентичен (IDT) СТ СЭВ 2769:1980; IEC 147:2023Применяется с 01.01.1975 взамен ГОСТ 10961-64 
• ГОСТ 18986.1-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока (с Изменениями N 1, 2)
  Идентичен (IDT) СТ СЭВ 2769:1980; IEC 147-2ВПрименяется с 01.01.1975 взамен ГОСТ 10963-64 
• ГОСТ 18986.19-73 Варикапы. Метод измерения добротности (с Изменениями N 1, 2, 3)
  (утв. постановлением Госстандарта СССР от 12.07.1973 N 1693)Неэквивалентен (NEQ) СТ СЭВ 3199:1981Применяется с 01.01.1975 взамен ГОСТ 14094-68 
• ГОСТ 18986.17-73 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации (с Изменением N 1, с Поправкой)
  (утв. постановлением Госстандарта СССР от 10.04.1973 N 873)Неэквивалентен (NEQ) СТ СЭВ 3200:1981; IEC 147-2MПрименяется с 01.07.1974 
• ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока (с Изменением N 1)
  (утв. постановлением Госстандарта СССР от 28.09.1972 N 1807)Применяется с 01.01.1974 
• ГОСТ 15150-69 Машины, приборы и другие технические изделия. Исполнения для различных климатических районов. Категории, условия эксплуатации, хранения и транспортирования в части воздействия климатических факторов внешней среды (с Изменениями N 1, 2, 3, 4, 5)
  Идентичен (IDT) IEC 721-2-1:1982; IEC 68-1:1988Применяется с 01.01.1971