DLA MIL-PRF-19500/684H TRANSISTOR, FIELD EFFECT, SILICON, N-CHANNEL, RADIATION HARDENED, ENCAPSULATED (SURFACE MOUNT AND CARRIER BOARD PACKAGES), TYPES 2N7472, 2N7473, AND 2N7474, JANTXVR AND JANSR
Данный раздел/документ содержится в продуктах:
- Техэксперт: Машиностроительный комплекс
- Картотека зарубежных и международных стандартов
- ASTM D7202 Standard Test Method for Determination of Beryllium in the Workplace by Extraction and Optical Fluorescence Detection
- 13
- ASTM D7202 Standard Test Method for Determination of Beryllium in the Workplace by Extraction and Optical Fluorescence Detection
- 13.040
- ASTM D7202 Standard Test Method for Determination of Beryllium in the Workplace by Extraction and Optical Fluorescence Detection
- 13.040.30
- ULC CAN/ULC-S563-06 STANDARD FOR CATEGORY 3 FILM-FORMING FLUOROPROTEIN (FFFP) FOAM LIQUID CONCENTRATES - Second Edition
- ULC ULC-S564-06 STANDARD FOR CATEGORIES 1 AND 2 FOAM LIQUID CONCENTRATES - Second Edition
- ULC ULC-S564-06 STANDARD FOR CATEGORIES 1 AND 2 FOAM LIQUID CONCENTRATES - Second Edition
- ULC CAN/ULC-S560-06 STANDARD FOR CATEGORY 3 AQUEOUS FILM-FORMING FOAM (AFFF) LIQUID CONCENTRATES - Second Edition
- ASTM B995 REV A Standard Test Method for Chloride Resistance Test for Chromium Electroplated Parts (Russian Mud Test)
- ASTM B117 Standard Practice for Operating Salt Spray (Fog) Apparatus
- ULC ULC/ORD-C539-15 SINGLE AND MULTIPLE STATION HEAT ALARMS - First Edition
- DLA MIL-STD-750F CHANGE 2 TEST METHODS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
- Картотека зарубежных и международных стандартов
CC - DLA Land and Maritime
TRANSISTOR, FIELD EFFECT, SILICON, N-CHANNEL, RADIATION HARDENED, ENCAPSULATED (SURFACE MOUNT AND CARRIER BOARD PACKAGES), TYPES 2N7472, 2N7473, AND 2N7474, JANTXVR AND JANSR
N MIL-PRF-19500/684H
Annotation
This specification covers the performance requirements for N-channel, enhancement-mode, MOSFET, radiation hardened (total dose and single event effects (SEE)), power transistors. Two levels of product assurance (JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device, with avalanche energy maximum rating (EAS) and maximum avalanche current (IAS). Provisions for radiation hardness assurance (RHA) to two radiation levels (“R” and “F”) are provided for JANTXV product assurance level. See 6.7 for JANHC and JANKC die versions.
Автоматический перевод:
ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕВОЙ ЭФФЕКТ, КРЕМНИЙ, N-КАНАЛ, РАДИАЦИЯ, УКРЕПЛЕННАЯ, ЗАКЛЮЧЕННАЯ В КАПСУЛУ (ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ И ПАКЕТЫ СОВЕТА ТРАНСПОРТНОЙ КОМПАНИИ), ТИПЫ 2N7472, 2N7473, И 2N7474, JANTXVR И JANSR
Эта спецификация касается эксплуатационных требований для N-канала, способа улучшения, MOSFET, укрепленной радиации (суммарная доза и единственные эффекты события (SEE)), мощные транзисторы. Два уровня гарантии продукта (JANTXV и JANS) обеспечиваются для каждого скрытого устройства с энергетическим максимумом лавины, оценивающим (EAS) и максимальным током лавины (IAS). Условия для радиационной гарантии твердости (RHA) к двум уровням радиации (“R” и “F”) предусмотрены уровень гарантии продукта JANTXV. См. 6.7 для JANHC, и JANKC умирают версии.
