ТРАВЛЕНИЕ ПЛАЗМОЙ ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ

High-density plasma etching

Плазменное травление потоком ионов плотностью от 10 до 10 ион/см с применением источника ионов на основе электронно-циклотронного резонанса, геликонового источника плазмы, магнетрона или источника индуктивно связанной плазмы.

Примечание - В зависимости от цели процесса с помощью плазмы осуществляют травление или осаждение. Подложка в реакторе должна быть расположена соответственно осуществляемому процессу.