МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ

Molecular beam epitaxy

Процесс получения монокристаллической пленки путем испарения и последующего осаждения атомов или молекул исходного материала (материалов) на монокристаллическую подложку в условиях высокого или сверхвысокого вакуума.

Примечания

1 Специальное отверстие в оборудовании для молекулярно-лучевой эпитаксии, через которое происходит перенос газообразного исходного материала из зоны испарения в зону высокого или сверхвысокого вакуума, предназначено для формирования соответствующих молекулярных пучков.

2 Методом молекулярно-лучевой эпитаксии, например используя арсенид индия (InAs) и подложку из арсенида галлия (GaAs), получают структуры размером в нанодиапазоне.